三維激光直寫系統(tǒng)利用偏振態(tài)可調的激光光束對基底表面的雙折射材料實施曝光。通過控制曝光光斑尺寸及光束偏振方向改變基底上液晶分子排布，曝光后顯影便可以在基底表面形成對應的微納結構圖案。

　　三維激光直寫作光刻版的工藝流程和要求：

　　1. 制作光刻版的工藝流程：

　　a、繪制版圖文件；

　　b、轉圖，生成設備可曝光的文件格式，曝光圖形；

　　c、顯影，露出鉻層；

　　d、蝕刻，使用Cr蝕刻液濕法腐蝕；

　　e、使用濕法去除光刻掩膜版上的光刻膠層，并清洗甩干。

　　2. 制版工藝流程要求：

　　a、版圖繪制：可接受文件格式（后綴名）：CIF、DXF、GDSⅡ，文件名用全英文命名；

　　b、繪圖軟件：Klayout軟件繪制版圖，可直接生成可接受的格式文件，設備轉換出錯率低；推薦L-edit軟件制圖，不要選擇默認格式，繪制完成后通過“export”導出后綴名為可接受的格式；使用AutoCAD軟件繪圖，保存格式選擇設備可接受的格式，出錯率較高。

　　建議：每種版圖軟件保存非默認格式都有機會出現錯誤，請重新打開軟件檢查自己的版圖

　　3. 圖層：

　　一個版圖文件可以包含多個圖層，但是一塊光刻掩膜版只對應一個圖層上的圖形。如果需要制作多個光刻版，圖形之間存在套刻關系，請在繪制圖形時，將圖形繪制在同一版圖文件的不同圖層（layer）上,并且設計統(tǒng)一大小的邊框，各層圖形的位置必須根據套刻關系嚴格對應，并設置相應的套刻標記，以方便制版后的光刻操作?；蛘吒鱾€版圖文件分別保存獨立的文件（我們的設備可以選擇曝光哪一個layer,但不能選擇曝光哪一個cell）。

　　4. 版圖極性：

　　正圖（Non-Inverted）和反圖（Inverted）。正圖是指實體圖形區(qū)域（或者說陰影區(qū)域）對應掩膜版Cr層被鏤空的透光區(qū)域（polygons=glass）；反圖是指陰影圖形區(qū)域對應光刻掩膜版鉻Cr層不透光區(qū)域。默認情況版圖為正圖，有特殊說明可提前與工程師聯系。

　　5. 對稱性：

　　版圖文件中的默認圖形為掩膜版各面向上所呈現的圖形。掩膜版制好后，通過光刻機將圖形轉移到樣品表面時，圖形將會呈現水平鏡像翻轉。